GH28V100
所属分类：
铁电存储器
关键词:
模块
设计
结构
逻辑
规则
时序
自动
用户
产品咨询：028-8105 3213
GH28V100
产品描述
主要特点
原理框图
封装尺寸
引脚定义
管脚图
GH28V100是一款1-Mbit(128K×8)并行接口的非易失性存储器，其读写操作与标准SRAM类似。铁电随机存取存储器（F-RAM)是非易失性的，这意味着断电后数据会被保留。它提供超过151年的数据保留，同时消除了电池支持SRAM(BBSRAM)的可靠性问题、功能缺陷和系统设计复杂性。快速写入时序和高写入耐久性使F-RAM优于其他类型的存储器。
GH28V100操作与其他RAM设备类似，因此，它可以作为系统中标准SRAM的替代品。读写周期可以通过CE片选使能或仅仅通过更改地址来触发。F-RAM存储器的非易失性得益于其独特的铁电存储工艺。这些特性使GH28V100非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。
1-Mbit(128K×8)铁电随机存取存储器(F-RAM)
高耐久性：读/写次数10
151年数据保留期
无延迟快速写入
页面模式操作至30ns循环时间
先进的高可靠性铁电工艺
SRAM兼容
与标准128K×8SRAM引脚兼容
访问时间：60ns
低功耗
动态电流7mA（典型值）
待机模式电流90uA（典型）
工作电压：VDD=2.0V至3.6V
工作温度：-55℃至+125℃
上一个
无
下一个
GH25V20A
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