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GH28F64

GH28F64是一种64Kbit抗辐射加固一次性可编程存储器。 GH28F64可编程只读存储器功能完全同步操作,无需外部时钟或定时频闪。采用先进的抗辐射双阱CMOS工艺技术实现GH28F64.GH28F64的抗辐射性能、快速读取时间和低功耗使成为用于辐射环境的高速系统的理想选择。
所属分类:
OTP PROM
关键词:
数据
容量
产品咨询:028-8105 3213
GH28F64
产品描述
主要特点
原理框图
封装尺寸
引脚定义
管脚图

  GH28F64是一种64Kbit抗辐射加固一次性可编程存储器。

  GH28F64可编程只读存储器功能完全同步操作,无需外部时钟或定时频闪。采用先进的抗辐射双阱CMOS工艺技术实现GH28F64.GH28F64的抗辐射性能、快速读取时间和低功耗使成为用于辐射环境的高速系统的理想选择。

  一次可编程、只读、异步访问

  存储容量:8K×8bit

  最长读出时间:45nS(-55℃到+125℃)

  工作电流:100mAmaximum

  静态电流:2mAmaximum

  总剂量:≥3E5rad(Si)

  SEL免疫:≥75MeV-cm/mg

  工作电压:5V±10%

反熔丝PROM-yl

  产品外壳为定制CDP28陶瓷管壳,配套金属盖板,采用平行缝焊工艺缝焊,满足气密性封装要求。封装外观尺寸:35.56mm×14.98mm×2.7mm(长×宽×高),如下图所示,单位:mm。

芯片使能端(C百、编程使能端(PE)和输出使能端(OE);十三个地址输入端,A(12:0);八根双向数据线,DQ(7:0)。

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