GH 24V01A
GH24V01A是一款128-Kbit(16K×8)带12C接口的非易失性铁电随机存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺实现。其读写操作与RAM类似。它提供超过151年的可靠数据保留期，同时消除了串行Flash、EEPROM和其他非易失性存储器所导致的复杂性和系统级可靠性等问题。
与EEPROM不同，GH24V01A执行以总线速度写入操作，没有写入延迟。当每个字节数据成功传输到设备后立即写入存储阵列。下一个总线周期可以无需进行数据轮询即可开始。与其他非易失性存储器产品相比，该产品具有很强的耐写性。此外，由于写入操作不需要内部写入电路的电源电压升高，使得F-RAM在写入过程中的功耗要低得多。GH24V01A能够支持101个读/写周期，写入次数是EEPROM的1万倍。
当需要频繁或快速写入时，以上功能使GH24V01A成为非易失性的理想选择。这些功能的组合允许以更少系统开销进行更频繁的数据写入操作。
GH24V01A作为硬件替代品，为串行(I2C)EEPROM的用户提供了巨大的好处。
28kbit(16K×8)铁电随机存取存储器(F-RAM)
高耐久性：读/写次数1010
151年数据保留期
无延迟快速写入
先进的高可靠性铁电工艺
快速2线串行接口(I2C)
频率高达3.4MHz
串行(I2C)EEPROM的直接硬件替换
支持100kHz和400kHz的传统时序
低功耗
动态电流：175uA@100kHz（典型）
待机模式电流：150uA（典型）
睡眠模式电流：8uA（典型）
工作电压：VDD=2.0V至3.6V
工作温度：-55℃至+125℃
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