GH15B104Q
GH15B104Q是一款4-Mbit(512K×8)带SP接口的非易失性铁电随机存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺实现。其读写操作与标准SRAM类似。它提供超过151年的可靠数据保留期，同时消除了串行Flash、EEPROM和其他非易失性存储器所导致的复杂性和系统级可靠性等问题。
与串行F1lash和EEPROM不同，GH15B104Q执行以总线速度写入操作。没有发生写入延迟。当每个字节数据成功传输到设备后立即写入存储阵列。下一个总线周期可以无需进行数据轮询即可开始。此外与其他非易失性存储器产品相比，该产品具有很强的耐写性。GH15B104Q能够支持101个读/写周期，写入次数是EEPROME的1万倍。
在需要频繁或快速写入时，这些功能使GH15B104Q成为非易失性存储器的理想选择。比如在数据收集应用中，其写周期的数量对于要求严格的工业控制来说至关重要，而串行闪存或EEPROME的写入时间长可能会导致数据丢失。
GH15B104Q为串行EEPROM或Flash用户提供了具有实质性好处的硬件替代品。GH15B104Q使用高速SPI总线，增强了F-RAM的高速写入能力。
4-Mbit(512k×8)铁电随机存取存储器(F-RAM)
高耐久性：读/写次数1010
151年数据保留期
无延迟快速写入
先进的高可靠性铁电工艺
超高速串行SPI接口
频率高达25MHz
可直接替换串行闪存和EEPROM
支持SP模式0(0,0)和模式3(1,1)
复杂的写保护方案
使用写保护（WP）引脚进行硬件保护
使用写禁用指令的软件保护
1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
低功耗
动态电流：300uA@1MHZ
待机模式电流：100uA（典型）
睡眠模式电流：3uA（典型）
工作电压：VDD=2.0V至3.6V
工作温度：-55℃至+125℃
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