GH25V20A
GH25V20A是一款基于先进铁电工艺技术的2-Mbit(256K×8)带SPI接口的非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性存储器，执行与RAM类似的读写操作。它提供151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
与串行闪存和EEPROM不同，GH25V20A以总线速度执行写入操作。没有写入延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入存储阵列。下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供了可观的写入耐久性。
GH25V20A能够支持100个读/写周期，或比EEPROM多1万倍的写周期。
这些功能使GH25V20A成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。例如，从数据采集（写入周期的数量可能至关重要）到要求严格的工业控制（串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失）。
GH25V20A为串行EEPROM或闪存的用户提供了实质性好处的硬件替代品。GH25V20A采用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。
2-Mbit(256k×8)铁电随机存取存储器(F-RAM)
高耐久性：读/写次数10
151年数据保留期
无延迟快速写入
先进的高可靠性铁电工艺
高速串行SP接口
频率高达25MHz
可直接替换串行Flash和EEPROM
支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
复杂的写保护方案
使用写保护(WP)引脚进行硬件保护
使用写禁用指令进行软件保护
1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
低功耗
动态电流：300uA@1MHz
待机模式电流：100uA（典型）
睡眠模式电流：3uA（典型）
工作电压：VDD=2.0V至3.6V
工作温度：-55℃至+125℃
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