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GH25V20A

GH25V20A是一款基于先进铁电工艺技术的2-Mbit(256K×8)带SPI接口的非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性存储器,执行与RAM类似的读写操作。它提供151年的可靠数据保留,同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。 与串行闪存和EEPROM不同,GH25V20A以总线速度执行写入操作。没有写入延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入存储阵列。下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品提供了可观的写入耐久性。 GH25V20A能够支持100个读/写周期,或比EEPROM多1万倍的写周期。 这些功能使GH25V20A成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。例如,从数据采集(写入周期的数量可能至关重要)到要求严格的工业控制(串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失)。 GH25V20A为串行EEPROM或闪存的用户提供了实质性好处的硬件替代品。GH25V20A采用高速SPI总线,增强了F-RAM技术的高速写入能力。
所属分类:
铁电存储器
关键词:
模块
设计
结构
逻辑
规则
时序
自动
用户
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GH25V20A
产品描述
主要特点
原理框图
封装尺寸
引脚定义
管脚图

  GH25V20A是一款基于先进铁电工艺技术的2-Mbit(256K×8)带SPI接口的非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性存储器,执行与RAM类似的读写操作。它提供151年的可靠数据保留,同时消除了由串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器引起的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

  与串行闪存和EEPROM不同,GH25V20A以总线速度执行写入操作。没有写入延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入存储阵列。下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外,与其他非易失性存储器相比,该产品提供了可观的写入耐久性。

  GH25V20A能够支持100个读/写周期,或比EEPROM多1万倍的写周期。

  这些功能使GH25V20A成为需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用的理想选择。例如,从数据采集(写入周期的数量可能至关重要)到要求严格的工业控制(串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失)。

  GH25V20A为串行EEPROM或闪存的用户提供了实质性好处的硬件替代品。GH25V20A采用高速SPI总线,增强了F-RAM技术的高速写入能力。

  2-Mbit(256k×8)铁电随机存取存储器(F-RAM)

  高耐久性:读/写次数10

  151年数据保留期

  无延迟快速写入

  先进的高可靠性铁电工艺

  高速串行SP接口

  频率高达25MHz

  可直接替换串行Flash和EEPROM

  支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)

  复杂的写保护方案

  使用写保护(WP)引脚进行硬件保护

  使用写禁用指令进行软件保护

  1/4、1/2或整个阵列的软件块保护

  低功耗

  动态电流:300uA@1MHz

  待机模式电流:100uA(典型)

  睡眠模式电流:3uA(典型)

  工作电压:VDD=2.0V至3.6V

  工作温度:-55℃至+125℃

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