GH22L16
所属分类：
铁电存储器
关键词:
存储器
数据
阵列
标准
保留
快速
访问
产品咨询：028-8105 3213
GH22L16
产品描述
主要特点
原理框图
封装尺寸
引脚定义
管脚图
GH22L16是一个4-Mbit(256K×16)并行接口的非易失性存储器，读写方式与标准SRAM类似。铁电随机数存取存储器或F-RAM是非易失性的，这意味着数据断开电源后会保留。为用户提供151年的数据保留期，消除了电池供电型SRAM(BBSRAM)的可靠性问题、功能缺陷和系统设计复杂性。由于快速写入及高性能写入耐久性，使F-RAM优于其他类型的存储器。
GH22L16的操作与其他RAM设备类似，因此，它可以作为标准SRA的一种替代品。读写周期可能是由CE触发或仅通过更改地址触发。F-RAM的非易失性得益于其独特的铁电存储器工艺。作为非易失性存储器，当需要频繁或快速写入时，GH22L16是理想的选择。
GH22L16包括一个低压监视器，当VDD降到VDD最小值以下时，低压监视器将阻止对存储器阵列的访问，防止意外访问和数据损坏。该器件还具有软件控制写保护功能。存储阵列分为8个均匀块，每个块可以单独写保护。
4-Mbit(256K×16)铁电随机存取存储器(F-RAM)
使用UB和LB可配置为512K×8
高耐久性：读/写次数1010
151年数据保留期
无延迟快速写入
页面模式操作至25ns循环时间
先进的高可靠性铁电工艺
SRAM兼容
与标准256K×16SRAM引脚兼容
访问时间：55ns
低功耗
动态电流8mA（典型值）
待机模式电流90UA（典型）
睡眠模式电流5uA（最大值）
低压操作：VDD=2.7V至3.6V
工作温度：-55℃至+125℃
Copyright © 成都市硅海武林科技有限公司 All Rights Reserved. 蜀ICP备2022007976号-1 SEO标签导航 技术支持：中企动力成都