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GH200

GH200采用工业标准8引脚排列配置,兼具精密性能及双通道放大器节省空间和成本的优势。 在整个军用温度范围内,GH200具有小于75uV的极低输入失调电压,漂移小于0.5μV/°C。开环增益超过500万(10KΩ负载),输入偏置电流低于2nA,共模抑制(CMR)高于120dB,电源抑制比(PSRR)小于1.8μVV.GH200的极低输入失调电压通过片内齐纳击穿调整而实现,无需进行失调牵引。 GH200的功耗很低,每个放大器耗用的电源电流低于725nA.GH200的电压噪声密度在1KHz时为11nV/VHz,仅为大多数竞争器件的一半。 GH200是需要多个精密运算放大器和低功耗应用的理想选择。
所属分类:
运算放大器
关键词:
低于
电流
抑制
失调电压
放大器
极低
产品咨询:028-8783 8453
GH200
产品描述
主要特点
原理框图
封装尺寸
引脚定义
管脚图

  GH200采用工业标准8引脚排列配置,兼具精密性能及双通道放大器节省空间和成本的优势。

  在整个军用温度范围内,GH200具有小于75uV的极低输入失调电压,漂移小于0.5μV/°C。开环增益超过500万(10KΩ负载),输入偏置电流低于2nA,共模抑制(CMR)高于120dB,电源抑制比(PSRR)小于1.8μVV.GH200的极低输入失调电压通过片内齐纳击穿调整而实现,无需进行失调牵引。

  GH200的功耗很低,每个放大器耗用的电源电流低于725nA.GH200的电压噪声密度在1KHz时为11nV/VHz,仅为大多数竞争器件的一半。

  GH200是需要多个精密运算放大器和低功耗应用的理想选择。

  低输入失调电压:75uV(最大值)

  低失调电压漂移:0.5μV/℃(最大值,

  55℃<TA<+125℃)

  低电源电流(每个放大器):725μA(最大值)

  高开环增益:5000VlmV(最小值)

  低输入偏置电流:2nA(最大值)

  低噪声电压密度:11nV小√Hz(1kHz)

  能稳定驱动较大容性负载:10nF(典型值)

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