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GH85RS128K

GH85RS128K是一款基于先进铁电工艺的128Kbit(逻辑架构为16K×8bit)非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)。该芯片具有10年以上的可靠数据保留能力;该芯片中使用的存储单元可用于10次读/写操作,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM;在每个字节成功传输到器件后,数据将立即写入存储阵列,不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据编程写入时间。GH85RS128K使用高速SPI总线,增强了F-RAM的高速写入能力。
所属分类:
铁电存储器
关键词:
存储器
数据
阵列
标准
保留
快速
访问
产品咨询:028-8105 3213
GH85RS128K
产品描述
主要特点
原理框图
封装尺寸
引脚定义
管脚图

  GH85RS128K是一款基于先进铁电工艺的128Kbit(逻辑架构为16K×8bit)非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)。该芯片具有10年以上的可靠数据保留能力;该芯片中使用的存储单元可用于10次读/写操作,它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM;在每个字节成功传输到器件后,数据将立即写入存储阵列,不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据编程写入时间。GH85RS128K使用高速SPI总线,增强了F-RAM的高速写入能力。

  128kbit(16Kbit×8)铁电随机存取存储器(F-RAM)

  高耐久性:读/写次数1010

  10年数据保留期(@85℃)

  无延迟快速写入

  先进的高可靠性铁电工艺

  高速串行外围器件接口(SPI)

  工作频率25MHz

  支持40MHz快速读指令

  支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)

  复杂的写保护方案

  使用写入保护引脚()的硬件保护

  使用写禁用指令的软件保护

  针对1/4、1/2或整个阵列的软件块保护

  低功耗

  动态电流:5mA@25MHz(典型)

  待机模式电流:50uA(典型)

  工作电压:VDD=2.7V至3.6V

  工业温度:-55℃至+125℃

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