GH85RS128K
所属分类：
铁电存储器
关键词:
存储器
数据
阵列
标准
保留
快速
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GH85RS128K
产品描述
主要特点
原理框图
封装尺寸
引脚定义
管脚图
GH85RS128K是一款基于先进铁电工艺的128Kbit(逻辑架构为16K×8bit)非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)。该芯片具有10年以上的可靠数据保留能力；该芯片中使用的存储单元可用于10次读/写操作，它的读/写耐久性大大超过FLASH和EEPROM;在每个字节成功传输到器件后，数据将立即写入存储阵列，不会像FLASH或EEPROM那样需要很长的数据编程写入时间。GH85RS128K使用高速SPI总线，增强了F-RAM的高速写入能力。
128kbit(16Kbit×8)铁电随机存取存储器(F-RAM)
高耐久性：读/写次数1010
10年数据保留期(@85℃)
无延迟快速写入
先进的高可靠性铁电工艺
高速串行外围器件接口(SPI)
工作频率25MHz
支持40MHz快速读指令
支持SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
复杂的写保护方案
使用写入保护引脚（）的硬件保护
使用写禁用指令的软件保护
针对1/4、1/2或整个阵列的软件块保护
低功耗
动态电流：5mA@25MHz（典型）
待机模式电流：50uA（典型）
工作电压：VDD=2.7V至3.6V
工业温度：-55℃至+125℃
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GH24W256
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