GH24W256

GH24W256是一款256-Kbit(32K×8)的非易失性铁电随机存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺实现。其读写操作与RAM类似。它提供超过151年的可靠数据保留期，同时消除了串行Flash、EEPROM和其他非易失性存储器所导致的复杂性和系统级可靠性等问题。与EEPROM不同，GH24W256执行以总线速度写入操作，没有写入延迟。当每个字节数据成功传输到设备后立即写入存储阵列。下一个总线周期可以无需进行数据轮询即可开始。与其他非易失性存储器产品相比，该产品具有很强的耐写性。此外，由于写入操作不需要内部写入电路的电源电压升高，使得F-RAM在写入过程中的功耗要低得多。GH24W256能够支持101个读/写周期，写入次数是EEPROM的1万倍。当需要频繁或快速写入时，以上功能使GH24W256成为非易失性的理想选择。这些功能的组合允许以更少系统开销进行更频繁的数据写入操作。 GH24W256作为硬件替代品，为串行(（I2C)EEPROM的用户提供了巨大的好处。

所属分类：

铁电存储器

关键词:

存储器

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GH24W256

产品描述

主要特点

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引脚定义

管脚图

　　GH24W256是一款256-Kbit(32K×8)的非易失性铁电随机存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺实现。其读写操作与RAM类似。它提供超过151年的可靠数据保留期，同时消除了串行Flash、EEPROM和其他非易失性存储器所导致的复杂性和系统级可靠性等问题。

　　与EEPROM不同，GH24W256执行以总线速度写入操作，没有写入延迟。当每个字节数据成功传输到设备后立即写入存储阵列。下一个总线周期可以无需进行数据轮询即可开始。与其他非易失性存储器产品相比，该产品具有很强的耐写性。此外，由于写入操作不需要内部写入电路的电源电压升高，使得F-RAM在写入过程中的功耗要低得多。GH24W256能够支持101个读/写周期，写入次数是EEPROM的1万倍。

　　当需要频繁或快速写入时，以上功能使GH24W256成为非易失性的理想选择。这些功能的组合允许以更少系统开销进行更频繁的数据写入操作。

　　GH24W256作为硬件替代品，为串行(（I2C)EEPROM的用户提供了巨大的好处。

　　256-Kbit(32K×8)铁电随机存取存储器(F-RAM)

　　高耐久性：读/写次数10¹⁰

　　151年数据保留期

　　无延迟快速写入

　　先进的高可靠性铁电工艺

　　快速2线串行接口(I2C)

　　频率高达1MHz

　　串行(I2C)EEPROM的直接硬件替换

　　支持100kHz和400kHz的传统时序

　　低功耗