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GH28F256

GH28F256QLE是一种256Kbit抗辐射加固一次性可编程存储器。GH28F256QLE可编程只读存储器具有完全非同步操作,无需外部时钟或定时频闪。采用先进的抗辐射双阱CMOS工艺实现GH28F256。 GH28F256的抗辐射性能、快速读取时间和低功耗使其成为用于辐射环境的高速系统的理想选择。
所属分类:
OTP PROM
关键词:
数据
容量
产品咨询:028-8783 8453
GH28F256
产品描述
主要特点
原理框图
封装尺寸
引脚定义
管脚图

  GH28F256QLE是一种256Kbit抗辐射加固一次性可编程存储器。GH28F256QLE可编程只读存储器具有完全非同步操作,无需外部时钟或定时频闪。采用先进的抗辐射双阱CMOS工艺实现GH28F256。

  GH28F256的抗辐射性能、快速读取时间和低功耗使其成为用于辐射环境的高速系统的理想选择。

  一次可编程、只读、异步访问

  存储容量:32K×8bit

  最长读出时间:45ns(-55℃到+125℃)

  工作电流:100mAmaximum

  静态电流:2mAmaximum

  总剂量:≥3E5rad(Si)

  SEL免疫:≥75MeV-cm/mg

  工作电压:5V±10%

反熔丝PROM-yl

气密性封装要求。封装外观尺寸:18.5mm×13.0mm×2.7mm(长×宽×高),如下图所示,单位:mm。

芯片使能端(CE)、编程使能端(PE)和输出使能端(OE);十五个地址输入端,A(14:0);八根双向数据线,DQ(7:0)。

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