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GH24V10

GH24V10是一款1-Mbit(128K×8)的非易失性铁电随机存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺实现。其读写操作与RAM类似。它提供超过151年的可靠数据保留期,同时消除了串行Flash、EEPROM和其他非易失性存储器所导致的复杂性和系统级可靠性等问题。 与EEPROM:不同,GH24V10执行以总线速度写入操作,没有写入延迟。当每个字节数据成功传输到设备后立即写入存储阵列。下一个总线周期可以无需进行数据轮询即可开始。与其他非易失性存储器产品相比,该产品具有很强的耐写性。此外,由于写入操作不需要内部写入电路的电源电压升高,使得F-RAM在写入过程中的功耗要低得多。GH24V10能够支持101个读/写周期,写入次数是EEPROME的1万倍。 当需要频繁或快速写入时,以上功能使GH24V10成为非易失性的理想选择。这些功能的组合允许以更少系统开销进行更频繁的数据写入操作。 GH24V10作为硬件替代品,为串行(I2C)EEPROME的用户提供了巨大的好处。
所属分类:
铁电存储器
关键词:
存储器
数据
阵列
标准
保留
快速
访问
产品咨询:028-8105 3213
GH24V10
产品描述
主要特点
原理框图
封装尺寸
引脚定义
管脚图

  GH24V10是一款1-Mbit(128K×8)的非易失性铁电随机存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺实现。其读写操作与RAM类似。它提供超过151年的可靠数据保留期,同时消除了串行Flash、EEPROM和其他非易失性存储器所导致的复杂性和系统级可靠性等问题。

  与EEPROM:不同,GH24V10执行以总线速度写入操作,没有写入延迟。当每个字节数据成功传输到设备后立即写入存储阵列。下一个总线周期可以无需进行数据轮询即可开始。与其他非易失性存储器产品相比,该产品具有很强的耐写性。此外,由于写入操作不需要内部写入电路的电源电压升高,使得F-RAM在写入过程中的功耗要低得多。GH24V10能够支持101个读/写周期,写入次数是EEPROME的1万倍。

  当需要频繁或快速写入时,以上功能使GH24V10成为非易失性的理想选择。这些功能的组合允许以更少系统开销进行更频繁的数据写入操作。

  GH24V10作为硬件替代品,为串行(I2C)EEPROME的用户提供了巨大的好处。

  1-Mbit(128K×8)铁电随机存取存储器(F-RAM)

  高耐久性:读/写次数101

  151年数据保留期

  无延迟快速写入

  先进的高可靠性铁电工艺

  快速2线串行接口(I2C)

  频率高达3.4MHz

  串行(I2C)EEPROM的直接硬件替换

  支持100kHz和400kHz的传统时序

  低功耗

  动态电流:175uA@100kHz(典型)

  待机模式电流:90uA(典型)

  睡眠模式电流:5uA(典型

  工作电压:VDD=2.0V至3.6V

  工作温度:-55℃至+125℃

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