GH24V10
GH24V10是一款1-Mbit(128K×8)的非易失性铁电随机存储器(F-RAM),采用先进的铁电工艺实现。其读写操作与RAM类似。它提供超过151年的可靠数据保留期,同时消除了串行Flash、EEPROM和其他非易失性存储器所导致的复杂性和系统级可靠性等问题。
与EEPROM:不同,GH24V10执行以总线速度写入操作,没有写入延迟。当每个字节数据成功传输到设备后立即写入存储阵列。下一个总线周期可以无需进行数据轮询即可开始。与其他非易失性存储器产品相比,该产品具有很强的耐写性。此外,由于写入操作不需要内部写入电路的电源电压升高,使得F-RAM在写入过程中的功耗要低得多。GH24V10能够支持101个读/写周期,写入次数是EEPROME的1万倍。
当需要频繁或快速写入时,以上功能使GH24V10成为非易失性的理想选择。这些功能的组合允许以更少系统开销进行更频繁的数据写入操作。
GH24V10作为硬件替代品,为串行(I2C)EEPROME的用户提供了巨大的好处。
1-Mbit(128K×8)铁电随机存取存储器(F-RAM)
高耐久性:读/写次数101
151年数据保留期
无延迟快速写入
先进的高可靠性铁电工艺
快速2线串行接口(I2C)
频率高达3.4MHz
串行(I2C)EEPROM的直接硬件替换
支持100kHz和400kHz的传统时序
低功耗
动态电流:175uA@100kHz(典型)
待机模式电流:90uA(典型)
睡眠模式电流:5uA(典型
工作电压:VDD=2.0V至3.6V
工作温度:-55℃至+125℃
Copyright © 成都市硅海武林科技有限公司 All Rights Reserved. 蜀ICP备2022007976号-1 SEO标签导航 技术支持:中企动力成都